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MASTERGAN1高電力密度ハーフブリッジ

STMicroelectronicsの高電力密度ハーフブリッジ高電圧ドライバには、2つの650VエンハンスメントモードGaNHEMTを搭載


 STMicroelectronicsのMASTERGAN1は世界初の600Vハーフブリッジドライバで、GaN HEMTシステムインパッケージ(SiP)を備えており、MASTERGANプラットフォームの最初のデバイスです。MASTERGAN1は小型のため、GaNの高いスイッチング周波数と、ドライバと2つのGaNスイッチの両方が同じパッケージに統合されているため、MOSFETスイッチベースの電源の4分の1の高電力密度電源を実装できます。また堅牢でもあります。

 オフラインドライバは、高速、効果的、安全な運転とレイアウトの簡素化のためにGaN HEMT用に最適化されています。目立たないGaNスイッチの管理は難しい場合がありますが、組み込みドライバによりGaNスイッチの管理と電源設計を簡素化します。


特長

    • ●ハーフブリッジドライバとGaNトランジスタを統合した電力SiP
    • ●BOMコスト削減
    • ●効率的
    • ●堅牢性
    • ●簡素化されたボードレイアウト
    • ●3.3V〜20V互換入力
    • ●広い電圧範囲に対応し、デバイスVCCに依存しない入力ピン張力
    • ●インターロッキング機能
    • ●インターロッキング状況の自動管理

用途・応用

    • ●スイッチモード電源
    • ●充電器およびアダプタ
    • ●高電圧PFC
    • ●DC/DCコンバータおよびDC/ACコンバータ
    • ●UPSシステム
    • ●太陽光発電

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