電磁干渉(EMI)準拠のPower over Ethernet EVB

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電磁干渉(EMI)準拠のPower over Ethernet評価ボード
Silicon Labsの最新のPoE設計では、Würth Elektronikトランスを使用して、磁気コンポーネントの設計、テスト、調達を簡素化

　Würth Elektronikの標準PoEトランスを活用して磁気コンポーネントの調達を簡素化するSilicon Labsの最新のPoE評価ボードを使用すると、15Wのクラス3 Power over Ethernet(PoE)を任意の設計に簡単に追加できます。3つの絶縁フライバック設計は3.3V、5V、12Vの出力オプションを提供し、すべてが80%を超えるピークエンドツーエンド(PoE入力からDC出力)効率に達します。

　3つの設計すべてが単純な4層PCBを使用し、ユーザーガイドに含まれている電磁干渉(EMI)レポートに完全に準拠しています。Silicon LabsのSi3404 PoE PDデバイスは、IEEE PoEインターフェースと内部FETを使用したDC-DC変換の両方を管理して、基板スペースとコストを削減します。

特長

- ●3.3V、5V、12Vの出力オプション
- ●最大15W、クラス3電力
- ●絶縁出力
- ●80%を超えるエンドツーエンドの効率
- ●EMIとIEEE PoEに準拠
- ●すぐに使えるWürth Elektronikトランス
- 　　・3.3V：749119933
- 　　・5V：749119950
- 　　・12V：7491199112
- ●小さなPCB面積
- ●3つの設計すべてに同じユーザーガイド

応用

- ●電力を必要とするEthernetポートをアイテム
- ●セキュリティカメラ
- ●IP電話
- ●IoT/Bluetoothゲートウェイ
- ●ワイヤレスアクセスポイント
- ●支払端末
- ●照明システム

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