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MPQ18021HN-A MOSFETドライバ

MPSのMPQ18021HN-Aは、高周波、100V、ハーフブリッジ、NチャンネルパワーMOSFETドライバ


 Monolithic Power SystemsのMPQ18021HN-Aのローサイドおよびハイサイドドライバチャンネルは独立して制御され、5ns未満の時間遅延で一致します。ハイサイド電源とローサイド電源の両方の低電圧ロックアウト(UVLO)は、電源が不十分な場合に出力を強制的にローにします。内蔵されているブートストラップダイオードは、外付け部品の点数を削減します。このAEC-Q100認定(グレード1)パワーMOSFETドライバは、-40°C~+125°Cの動作接合温度範囲を持ち、SOIC-8Eパッケージで提供されます。


特長

    • ●100VBST電圧範囲
    • ●16ns伝播遅延時間
    • ●12VDDで12ns/9nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1nfの負荷を駆動
    • ●オンチップブートストラップダイオード
    • ●TTL互換入力
    • ●5ns未満のゲートドライブマッチング
    • ●ハイサイドとローサイドの両方のUVLO
    • ●160μA未満の静止電流
    • ●-40°C~+125°Cの動作接合温度範囲
    • ●AEC-Q100認定(グレード1)
    • ●SOIC-8Eパッケージで入手可能

応用

    • ●車のDC/DC電源システム
    • ●ハーフブリッジモータドライバ

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